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Memoria de acceso aleatorio resistiva

La memoria de acceso aleatorio resistiva o RRAM es un tipo de equipo de memoria no volátil en la que funciona mediante la modificación de la resistencia usando un material dieléctrico de estado sólido que también se conoce como memristencia. Esta tecnología es similar a CBRAM y PCM.

CBRAM está basado en un electrodo que proporciona iones que se disuelven en un material electrolítico, mientras que el PCM se basa en la generación de energía suficiente para estimular los cambios de fase de tipo amorfo o cristalino o cristalina y amorfa. Por otro lado, RRAM genera defectos en una delgada capa de óxido, conocido como vacantes de oxígeno enlaces de óxido se establece que el oxígeno fueron retirados, que posteriormente se puede cargar y ser arrastrados hacia un campo eléctrico. El movimiento de la amorfo o cristalino" y de las vacantes en el óxido sería análogo al movimiento de los electrones y los huecos en un semiconductor.

RRAM está siendo desarrollado por varias empresas, algunas de ellas han patentado las aplicaciones potenciales de esta tecnología. la puerta dieléctrico de constante dieléctrica alta-tipo de HfO2 puede ser utilizado como un RRAM de baja tensión, esto ha estimulado en gran medida, en otros a investigar otras posibilidades.

                                     

1. La historia. (The story)

En febrero de 2012 Rambus compró una empresa de RRAM llamada Unidad de Semiconductores por $35 millones.

                                     

2. Formación. (Training)

La idea básica es que un dieléctrico, que normalmente es aislante, se puede realizar a través de un filamento o ruta que se formó después de la aplicación de suficiente voltaje. La carretera que conduce a puede surgir de diferentes mecanismos, incluidos los fallos o la migración del metal. Una vez que el filamento está formado, esto puede ser reiniciado roto, lo que resulta en una alta resistencia o un conjunto renovado, dando como resultado una menor resistencia para otro voltaje. Muchos caminos en la actualidad en lugar de filamentos estarían involucrados.

                                     

3. Estilos de Operación. (Styles of Operation)

Para las memorias de tipo de acceso aleatorio, prefieren la arquitectura de un 1T1R un transistor, una resistencia, debido a que el transistor de corriente aislados de las celdas seleccionadas a partir de células que no son. Por otro lado, una arquitectura de punto de cruz es más compacto y puede permitir apilar verticalmente capas de la memoria, ideal para dispositivos de almacenamiento masivo. Sin embargo, en la ausencia de cualquier incluidos los transistores, el aislamiento debe ser proporcionada por un dispositivo selector, tal como un diodo en serie con el elemento de la memoria o de la memoria del mismo elemento. Tales capacidades de aislamiento han sido menores que el uso de los transistores, que limita la capacidad de operar con matrices muy grandes RRAM en esta arquitectura.

La polaridad puede ser binario o unario. Algunos efectos bipolar causa de polaridad inversa cuando se cambia de baja a alta resistencia la operación de restablecimiento en comparación con la de conmutación de alta de la operación de inserción baja. La conmutación unipolar sale de la misma polaridad, pero utiliza diferentes voltajes.



                                     

4. Sistemas de materiales para celdas de memoria resistiva. (Material systems for memory cells of a resistive)

Múltiples sistemas de materiales inorgánicos y orgánicos mostrar los efectos de la conmutación resistiva térmica o iónico. Estos pueden ser agrupados en las siguientes categorías:

  • Los óxidos de metales de transición binario como el NiO o TiO 2.
  • Los electrolitos de estado sólido como GeS, GeSe, SiO x o Cu 2 S.
  • Calcogenuros de cambio de fase, tales como Ge 2 Sb 2 Te 5 o AgInSbTe.
  • Los sistemas orgánicos donante-receptor como Al AIDCN.
  • Perovskitas como el Sr Zr TiO 3 o PCMO.
  • Complejos de transferencia de carga orgánica, como CuTCNQ.
                                     

5. Las manifestaciones. (The demonstrations)

Los documentos de la Conferencia IEDM en 2007 sugirió por primera vez que RRAM exposiciones de programación actual, inferior la PRAM de cambio de Fase o memoria MRAM, sin sacrificar el desempeño de la programación, la retención o la resistencia. En IEDM de 2008, la más alta tecnología RRAM rendimiento hasta la fecha, demostrado por el ITRI, que muestra los tiempos de conexión de menos de 10 ns y corrientes de menos de 30 uA. En IEDM DE 2010, ITRI volvió a romper el récord de velocidad, mostrando

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